O836Si Oxígeno por Fusión en Gas Inerte con Detección Infrarroja para Placas de Silicio

Oxígeno
LECO O836si

PANTALLA TÁCTIL

O836Si with touch-screen operation

Descripción

El O836Si ha sido diseñado para alcanzar los mas bajos niveles de sensibilidad y de alta precisión que demanda la industria del Silicio. Combinando la incomparable sensibilidad de nuestro sistema de detección de estado sólido de infrarrojo con nuestros novedosos sistemas  de carga de muestra y del horno de impulsos programable, el O836Si proporciona resultados exactos y precisos de Oxígeno en materiales como tarjetas de Silicio. El bajo nivel de sensibilidad y la alta precisión alcanzados han sido aplicados a la industria de metales, determinando la contenido de Oxígeno en Cobre de alta pureza para la industria electrónica.

Características

  • Bajos niveles, alta precisión con la detección de estado sólido de infrarrojos (IR)
  • Horno de Impulsos electrónicos con control de corriente o potencia
  • Exactitud y precisión en bajos niveles de ppm
  • Bajos niveles de Blancos con el accesible cabezal de carga de placas
  • Conjunto de reactivos protegidos para seguridad
  • Mantenimiento reducido con transferencia de gases mejorada
  • Resultados de Oxígeno en ppma

Operación

CARGA DE OBLEAS DE SILICIO

Cabezal de carga de muestra diseñado para una carga de muestra constante, un blanco atmosférico bajo y una alta pureza de gas portador. Las obleas de silicio se cargan en el horno con el diseño de la cabeza de carga. Los sellos dobles, un mecanismo de carga magnética y un depurador integrado de oxígeno / humedad promueven un espacio atmosférico casi nulo y mantienen la pureza óptima del gas portador.

Documentación

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